本发明涉及一种液晶面板和液晶显示基板的制造方法。该液晶面板包括形成驱动开关的第一显示基板,还包括第二显示基板,第一显示基板和第二显示基板之间形成柱状隔垫物;其中第一衬底基板上形成有公共电极;第二衬底基板上形成有像素电极;柱状隔垫物包含导电材料,其一端连接像素电极,另一端连接驱动开关。本发明不必在液晶显示基板的四周设置连接电路来连接公共电极,避免出现短路等不良问题。
1.一种液晶面板,包括第一显示基板和第二显示基板;所述第一显示基板包括第一衬底基板,所述第一衬底基板上形成有多个像素单元,所述像素单元中形成有驱动开关;所述第二显示基板包括第二衬底基板;所述第一显示基板和第二显示基板之间形成有柱状隔垫物,其特征在于:所述第一衬底基板上形成有公共电极,所述第二衬底基板上形成有对应各像素单元的像素电极;所述柱状隔垫物包含覆盖在所述柱状隔垫物表面的像素电极材料,所述柱状隔垫物的一端连接所述像素电极,另一端连接所述驱动开关;所述柱状隔垫物的纵向截面形状为梯形,朝向所述第一显示基板的端部为顶端,朝向所述第二显示基板的端部为底端,所述顶端的横截面积小于所述底端的横截面积;所述柱状隔垫物与显示基板的接触位置改变时,所述柱状隔垫物的高度增加,增加值与所述像素单元的漏电极和TFT开关顶端的高度差相同;所述驱动开关上形成有钝化层,所述钝化层上形成有过孔,所述柱状隔垫物插入所述钝化层的过孔中与所述漏电极相接触;所述柱状隔垫物的端部处于低的位置,四周形成端差。
2.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于:所述钝化层上形成有第一像素电极过孔,所述公共电极的图案与所述第一像素电极过孔间隔设置,所述柱状隔垫物通过第一像素电极过孔与所述驱动开关相连。
3.根据权利要求2所述的液晶面板,其特征在于:所述公共电极形成在所述钝化层上,所述公共电极上形成有第二像素电极过孔,所述柱状隔垫物穿过所述第二像素电极过孔,且与所述公共电极相互间隔。
4.根据权利要求2所述的液晶面板,其特征在于:还包括公共电极线,所述公共电极与所述公共电极线相连。
5.根据权利要求4所述的液晶面板,其特征在于:所述公共电极线与栅极扫描线同层形成,所述栅极扫描线上覆盖有栅极绝缘层和钝化层,所述公共电极形成在所述钝化层上,所述公共电极通过贯穿所述栅极绝缘层和钝化层的公共电极过孔与所述公共电极线相连。
6.根据权利要求4所述的液晶面板,其特征在于:所述公共电极线与栅极扫描线同层形成,所述公共电极形成在所述公共电极线之上或之下。
7.根据权利要求4或5或6所述的液晶面板,其特征在于:所述公共电极的图案为分别形成在各个像素单元中、彼此间阳的块状图案。
8.根据权利要求1至6任一所述的液晶面板,其特征在于:所述第二衬底基板上还形成有黑矩阵,黑矩阵的网格内形成有彩膜树脂分别对应各个像素单元;所述像素电极形成在所述彩膜树脂之上。
9.根据权利要求2至6任一所述的液晶面板,其特征在于:所述驱动开关包括栅电极、有源层、源电极和漏电极,所述栅电极与栅极扫描线相连,所述源电极与数据线相连,所述第一像素电极过孔对应所述漏电极的位置形成,所述漏电极通过括入所述第一像素电极过孔的柱状隔垫物与所述像素电极相连。
10.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于:所述柱状隔垫物顶端的宽度为1~40微米,底端的宽度为1~80微米。
11.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于:所述柱状隔垫物的顶端和底端形状为圆形或四边形。
12.一种液晶显示基板的制造方法,包括在第一衬底基板上形成驱动开关的步骤,其特征在于,还包括:在所述第一衬底基板上形成公共电极;保持所述驱动开关中漏电极的上表面处于暴露状态,用于在对盒时与另一液晶显示基板上的像素电极相连,所述像素电极连接柱状隔垫物的一端;所述柱状隔垫物与显示基板的接触位置改变时,所述柱状隔垫物的高度增加,增加值与所述像素单元的漏电极和TFT开关顶端的高度差相同;所述驱动开关上形成有钝化层,所述钝化层上形成有过孔,所述柱状隔垫物插入所述钝化层的过孔中与所述漏电极相接触;所述柱状隔垫物的端部处于低的位置,四周形成端差。
13.根据权利要求12所述的液晶显示基板的制造方法,其特征在于,在第一衬底基板上形成驱动开关和公共电极,且暴露所述驱动开关中漏电极的上表面的步骤包括:在第一衬底基板上沉积栅金属薄膜;对所述栅金属薄膜进行构图工艺,形成包括栅极扫描线和栅电极的图案;在形成所述栅极扫描线和栅电极的第一衬底基板上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上沉积有源层薄膜和数据线材料薄膜;对所述有源层薄膜和数据线材料薄膜进行构图工艺,形成包括有源层、源电极、漏电极和数据线的图案,所述有源层、源电极、漏电极和所述栅电极作为所述驱动开关;在形成所述有源层、源电极、漏电极和数据线的第一衬底基板上形成钝化层;对所述钝化层进行构图工艺,形成像素电极过孔的图案,所述像素电极过孔分别对应各所述漏电极的位置,所述像素电极过孔用于连接所述漏电极和像素电极;在所述钝化层上沉积公共电极薄膜;对所述公共电极薄膜采用构图工艺,形成包括公共电极的图案,所述公共电极的图案与所述像素电极过孔间隔设置。
14.根据权利要求13所述的液晶显示基板的制造方法,其特征在于,还包括:在形成栅极扫描线和栅电极图案的同时形成公共电极线的图案,所述公共电极线与所述栅极扫描线相互间隔设置;在形成所述像素电极过孔的同时形成公共电极过孔,所述公共电极过孔对应所述公共电极线的位置设置,所述公共电极通过所述公共电极过孔与所述公共电极线相连。
15.一种液晶显示基板的制造方法,其特征在于,包括:在第二衬底基板上形成柱状隔垫物;在形成柱状隔垫物的第二衬底基板上沉积像素电极材料薄膜;对所述像素电极材料薄膜进行构图工艺,形成包括像素电极的图案,且在所述柱状隔垫物的表面保留像素电极材料薄膜,所述柱状隔垫物在两个液晶显示基板对盒时用于连接所述像素电极和设置在另一液晶显示基板上的驱动开关中的漏电极;所述柱状隔垫物与显示基板的接触位置改变时,所述柱状隔垫物的高度增加,增加值与所述像素单元的漏电极和TFT开关顶端的高度差相同;所述驱动开关上形成有钝化层,所述钝化层上形成有过孔,所述柱状隔垫物插入所述钝化层的过孔中与所述漏电极相接触;所述柱状隔垫物的端部处于低的位置,四周形成端差。
16.根据权利要求15所述的液晶显示基板的制造方法,其特征在于,在第二衬底基板上形成柱状隔垫物包括:在第二衬底基板上形成黑矩阵和彩膜树脂;在所述彩膜树脂上形成柱状隔垫物。技术领域
本发明实施例涉及液晶显示技术,尤其涉及一种液晶面板和液晶显示基板的制造方法。
背景技术
液晶显示器(Liquidxa0Crystalxa0Display;以下简称:LCD)是目前主要的平板显示装置,尤其是薄膜晶体管(Thinxa0Filmxa0Transistor;以下简称:TFT)LCD具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点,在当前的平板显示装置市场占据了主导地位。TFT-LCD的液晶面板是由两个显示基板对盒后填充液晶层而形成的。其中,第一显示基板往往因形成阵列结构而称为阵列基板,第二显示基板因形成彩膜矩阵而称为彩膜基板。阵列基板通常包括第一衬底基板,在第一衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线,围设形成多个像素单元。每个像素单元中形成有TFT开关和像素电极。TFT开关包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。在数据线与栅极扫描线的交叉处,栅电极与栅极扫描线相连,源电极与数据线相连,漏电极与像素电极相连,源电极和漏电极通过有源层在栅电极的开启电压下导通,从而连通数据线和像素电极。在阵列基板的各层导电材料结构之间可以设置如栅极绝缘层和钝化层等绝缘材料保持绝缘。彩膜基板包括第二衬底基板,第二衬底基板上形成有呈网格状的黑矩阵,黑矩阵之间填充有彩膜树脂,黑矩阵网格所形成的区域分别对应各个像素单元。在彩膜基板上还形成有公共电极,公共电极与像素电极之间形成驱动液晶层扭转的电场。通常,在阵列基板上还布设有贯穿各个像素单元的公共电极线,公共电极线在阵列基板的四周边缘与公共电极相连,为公共电极提供恒定电压。为保持对盒后阵列基板和彩膜基板之间的距离,通常在彩膜基板的黑矩阵上形成柱状隔垫物,对盒后,柱状隔垫物抵触在阵列基板的TFT开关上来保持阵列基板和彩膜基板之间的距离。在进行本发明相关技术的研究过程中,发明人发现现有技术存在如下缺陷:公共电极与公共电极线之间必须通过阵列基板周边电路结构相连,如采用导电银胶或导电金属球等,而这种连接结构容易在生产中造成静电击穿,使TFT-LCD产生亮线不良等缺陷。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种液晶面板和液晶显示基板的制造方法,以提高液晶面板的良品率。为实现上述目的,本发明提供了一种液晶面板,包括第一显示基板和第二显示基板;所述第一显示基板包括第一衬底基板,所述第一衬底基板上形成有多个像素单元,所述像素单元中形成有驱动开关;所述第二显示基板包括第二衬底基板;所述第一显示基板和第二显示基板之间形成有柱状隔垫物,其中:所述第一衬底基板上形成有公共电极,所述第二衬底基板上形成有对应各像素单元的像素电极;所述柱状隔垫物包含导电材料,所述柱状隔垫物的一端连接所述像素电极,另一端连接所述驱动开关。为实现上述目的,本发明还提供了一种液晶显示基板的制造方法,包括在第一衬底基板上形成驱动开关的步骤,还包括:在所述第一衬底基板上形成公共电极;保持所述驱动开关中漏电极的上表面处于暴露状态,用于在对盒时与另一液晶显示基板上的像素电极相连。为实现上述目的,本发明还提供了另一种液晶显示基板的制造方法,包括:在第二衬底基板上形成柱状隔垫物;在形成柱状隔垫物的第二衬底基板上沉积像素电极材料薄膜;对所述像素电极材料薄膜进行构图工艺,形成包括像素电极的图案,且在所述柱状隔垫物的表面保留像素电极材料薄膜,所述柱状隔垫物在两个液晶显示基板对盒时用于连接所述像素电极和设置在另一液晶显示基板上的驱动开关中的漏电极。由以上技术方案可知,本发明采用将公共电极与驱动开关等结构设置在同一液晶显示基板上的技术手段,可以不必在液晶显示基板的四周设置连接电路来连接公共电极,从而能够避免周边电路导电银胶和金属颗粒等引起的短路问题,从而提高了液晶面板的良品率。另外,本发明采用将像素电极和驱动开关分设在不同的液晶显示基板上,以柱状隔垫物相互连接的技术手段,避免了柱状隔垫物抵顶在驱动开关的最高处而易于发生位移,避免了液晶面板在受到挤压、冲撞时柱状隔垫物发生位移而导致的漏光不良。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图;图2为本发明实施例一提供的液晶面板中第二显示基板的局部俯视结构示意图;图3为沿图1和图2中的A-A线对液晶面板进行剖切的剖面结构示意图;图4为本发明实施例二提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图;图5为沿图4中的B-B线对液晶面板进行剖切的剖面结构示意图;图6为本发明实施例三提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图;图7为沿图6中的C-C线对液晶面板进行剖切的剖面结构示意图;图8为本发明实施例四提供的一种液晶显示基板的制造方法;图9为本发明实施例五提供的另一种液晶显示基板的制造方法。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。实施例一图1为本发明实施例一提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图,图2为本发明实施例一提供的液晶面板中第二显示基板的局部俯视结构示意图,图3为沿图1和图2中的A-A线对液晶面板进行剖切的剖面结构示意图。该液晶面板包括第一显示基板和第二显示基板。如图1和图3所示,第一显示基板包括第一衬底基板1,第一衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线2和栅极扫描线3,围设形成矩阵形式排列的多个像素单元。每个像素单元中形成有连接数据线2和栅极扫描线3的驱动开关。对于TFT-LCD来说,驱动开关的结构具体包括:栅电极4、有源层5、源电极6和漏电极7。栅电极4与相邻的栅极扫描线3相连,源电极6与相邻的数据线2相连,漏电极7用于与像素电极9相连。为保持各个导电元件之间的绝缘,在栅电极4和栅极扫描线3的图案之上覆盖有栅极绝缘层12,在有源层5、源电极6、漏电极7和数据线2的图案之上覆盖有钝化层13。第一衬底基板1上还形成有相互连接的公共电极线10和公共电极11。本实施例中,公共电极线10与栅极扫描线3同层形成,栅极扫描线3上覆盖有栅极绝缘层12和钝化层13,公共电极11形成在钝化层13上,公共电极11通过贯穿栅极绝缘层12和钝化层13的公共电极过孔19与公共电极线10相连。为避免数据线2两侧出现的漏光现象,还可以在数据线2两侧的位置形成挡光条18,挡光条18可以采用金属材料制成,具体可以与栅极扫描线3同层形成,与公共电极线10相互连接。如图2和图3所示,第二显示基板包括第二衬底基板14,第二衬底基板14上形成有黑矩阵15,黑矩阵15的网格内形成有彩膜树脂16,分别对应各个像素单元。黑矩阵15的作用在于遮挡第一显示基板上栅极扫描线3、数据线2和驱动开关等不能透光的元件,彩膜树脂16的作用在于对应像素单元中能够透光的部分,当光线透过时进行滤光,从而使光线呈现出不同的颜色。通常,彩膜树脂16的颜色可以为红、绿、蓝三基色。第二衬底基板14上还形成有像素电极9,对应各个像素单元的区域设置,具体可以形成在彩膜树脂16之上。如图3所示,第一显示基板和第二显示基板对盒后填充液晶层。第一显示基板和第二显示基板之间还形成有柱状隔垫物17,柱状隔垫物17具体可以形成在第二显示基板之上。柱状隔垫物17包含导电材料,该柱状隔垫物17的一端连接像素电极9,另一端用于连接第一显示基板上的驱动开关。具体的,可以在驱动开关的钝化层13上形成第一像素电极过孔8,使柱状隔垫物17的端部插入第一像素电极过孔8中来连接驱动开关。在TFT-LCD中,第一像素电极过孔8具体是对应漏电极7的位置形成,漏电极7通过插入第一像素电极过孔8的柱状隔垫物17与像素电极9相连。在本实施例中,柱状隔垫物包含的导电材料可以是掺杂在柱状隔垫物之中的,也可以是涂覆在柱状隔垫物表面的,优选的是导电材料为覆盖柱状隔垫物表面的像素电极材料,则可以充分利用彩膜基板上已有的材料和制备工艺,不增加产品制造工序和成本。为了使柱状隔垫物与四周的结构有尽量大的接触面积,可以设计柱状隔垫物为圆台或棱柱台,即柱状隔垫物的纵向截面形状为梯形,柱状隔垫物朝向第一显示基板的端部为顶端,朝向第二显示基板的端部为底端,且顶端的横截面积小于底端的横截面积。柱状隔垫物的顶端和底端形状可以为圆形、四边形或其它多边形。优选的是柱状隔垫物顶端的宽度为1~40微米(μm),底端的宽度为1~80μm。由于柱状隔垫物与显示基板的接触位置改变,为了保持同样的盒厚度,需将柱状隔垫物的高度适当增加,增加值与漏电极和TFT开关顶端的高度差相同。本实施例的技术方案中,将像素电极形成在第二显示基板,即彩膜基板上,通过柱状隔垫物与驱动开关相连。上述结构使得柱状隔垫物需插入钝化层的过孔中与漏电极相接触,则柱状隔垫物的端部处于较低的位置,四周形成了端差,钝化层的过孔壁面可以对柱状隔垫物起到固定的作用,从而形成一种相对稳定的结构,解决TFT-LCD液晶面板受到挤压、冲击时由于柱状隔垫物的位置移动导致的漏光问题。本实施例的技术方案还将公共电极形成在第一显示基板的钝化层之上,与同在第一显示基板上的公共电极线相连,可以不必通过周边的导电银胶或金属颗粒等结构来连接,因此,既省却了导电银胶、金属颗粒等物质的涂覆工艺,又解决了导电银胶或金属颗粒等结构容易发生静电击穿而短路的问题,提高了LCD的良品率。公共电极形成在每个像素单元中,优选是采用透明导电材料,例如氧化铟锡(Indiumxa0Tinxa0Oxide;以下简称:ITO)或氧化铟锌(IndiumZincxa00xide;以下简称:IZO)等。但是,上述材料通常电阻较大,使得整个液晶面板中的公共电极的电压不均衡。所以,通常以金属材质制成的公共电极线贯通设置于第一显示基板上,连接公共电极,为其提供均衡的电压。采用本实施例的技术方案,可以将公共电极线与公共电极同层设置,公共电极可以在各个像素单元中均与公共电极线相连,增加了连接点数量,能够使公共电极中的电压更为平均。由于公共电极线采用金属材质制成,即可以采用栅极扫描线或数据线的材质制成,所以可以在形成栅极扫描线或数据线的同时形成公共电极线,而后在栅极绝缘层和/或钝化层上形成公共电极过孔,公共电极过孔对应公共电极线的位置,使公共电极通过公共电极过孔与公共电极线相连。具体应用中,由于公共电极线通常需要贯通整行像素单元,即与栅极扫描线平行,所以公共电极线通常与栅极扫描线同层形成。上述结构可以不必在形成钝化层之后以两次构图工艺分别形成公共电极线和公共电极,能够节省工序。具体应用中,为避免公共电极和随后形成的像素电极相导通,需要使公共电极的图案与漏电极上的第一像素电极过孔间隔设置。其中一种实现方式是设置公共电极的图案为分别形成在各个像素单元中、彼此间隔的块状图案,则在第一像素电极过孔上的区域不形成公共电极的图案。或者,也可以在公共电极的图案上形成间隔过孔,间隔过孔的位置与第一像素电极过孔的位置对应,且间隔过孔的孔径大于第一像素电极过孔的孔径,从而使公共电极不与漏电极和像素电极相导通。实施例二图4为本发明实施例二提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图,第二显示基板的结构可参见图2所示,图5为沿图4中的B-B线对液晶面板进行剖切的剖面结构示意图,其中增加示出了第二显示基板的结构。本实施例与实施例一的区别在于:公共电极线10与栅极扫描线3同层形成,且公共电极11可以形成在公共电极线10之上或之下。可以先形成公共电极线10和栅极扫描线3,使公共电极11形成在具有公共电极线10和栅极扫描线3的第一衬底基板1上,覆盖在栅极绝缘层12之下,或者,可以先形成公共电极11,公共电极线10形成在公共电极11之上。公共电极11与公共电极线10直接相连,则不必设置公共电极过孔。如图5所示,具体应用中,也可以不设置钝化层13,而直接将漏电极7保持在暴露状态,则在对盒时,可以直接与第二显示基板上的像素电极9相连。采用不设置钝化层的技术方案,可以简化一步刻蚀形成第一像素电极过孔的工序,能够降低生产成本。采用设置钝化层和第一像素电极过孔的技术方案,可以使柱状隔垫物插入第一像素电极过孔之中,起到固定的作用。具体生产中可以根据实际需求设计产品结构和工艺流程。公共电极采用透明导电材料制备时往往电阻较大,设置公共电极线的作用是可以采用金属等电阻低的材料来制备,增加为公共电极提供公共电压的连接点,提高阵列基板内公共电压的均匀性。实施例三图6为本发明实施例三提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图,第二显示基板的结构可参见图2所示,图7为沿图6中的C-C线对液晶面板进行剖切的剖面结构示意图,其中增加示出了第二显示基板的结构。本实施例与上述实施例的区别在于,不用设置公共电极线,而采用设置整片公共电极11的形式。当公共电极11的面积增大时可具有较小电阻,满足公共电压均匀化的要求。公共电极11形成在钝化层13上,公共电极11上形成有第二像素电极过孔20,柱状隔垫物17穿过第二像素电极过孔20,且与公共电极11相互间隔。优选的是第二像素电极过孔20为比柱状隔垫物17直径大的过孔,如图6所示,以避免像素电极9与公共电极11相连。采用本实施例的技术方案可以避免设置公共电极线,且同时不必增加额外的层次结构和工艺。若从减少构图工艺的角度考虑,也可以设置整片的公共电极,并形成另一绝缘层,以便将公共电极与其它导电结构相隔离。例如,可以将公共电极设置在第一衬底基板上,而后再形成一绝缘层,在该绝缘层上制备栅极扫描线和栅电极等后续图案。优选的是使公共电极与液晶层的距离尽量减小。本发明各实施例所提供的液晶面板中,黑矩阵和彩膜树脂并不限于设置在第二显示基板上,根据具体需要,也可以将黑矩阵和彩膜树脂设置在第一显示基板上,只要能够使黑矩阵起到遮挡非透光区域,且使彩膜树脂能对各像素单元进行滤光作用即可。本发明实施例还提供了一种液晶显示基板的制造方法,包括在第一衬底基板上形成驱动开关的步骤,且还包括在第一衬底基板上形成公共电极;并保持驱动开关中漏电极的上表面处于暴露状态,用于在对盒时与另一液晶显示基板上的像素电极相连。本发明所提供的一种液晶显示基板的制造方法可用于制造本发明液晶面板中的第一显示基板,使公共电极形成在阵列基板上,无须在周边用导电胶将公共电极连接至阵列基板上的驱动电路,增强了连接可靠性。公共电极在阵列基板上的设置方式有多种,可以选择设置或不设置公共电极线,下面通过优选实施例进行说明。实施例四图8为本发明实施例四提供的一种液晶显示基板的制造方法,该制造方法即制造阵列基板的方法,包括下述步骤:步骤801、在第一衬底基板上沉积栅金属薄膜,可以采用磁控溅射等工艺来沉积厚度为1000(埃米)ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="42"/>至ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="157"/>的金属薄膜,栅金属薄膜的材料通常可以为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属,也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构;步骤802、对栅金属薄膜进行构图工艺,形成包括栅极扫描线和栅电极的图案,所谓构图工艺即曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺,具体可以采用栅极扫描线和栅电极掩膜板进行曝光工艺,而后进行显影和化学刻蚀工艺,剥离光刻胶后可以形成栅极扫描线和栅电极的图案;步骤803、在形成栅极扫描线和栅电极的第一衬底基板上形成栅极绝缘层,具体可以利用化学汽相沉积法沉积ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="157"/>到ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="157"/>的栅极绝缘层薄膜,栅极绝缘层的材料通常为氮化硅、氧化硅和氢氧化硅等;步骤804、在栅极绝缘层上沉积有源层薄膜和数据线材料薄膜,可以沿用化学汽相沉积法沉积ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="155"/>到ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="157"/>的非晶硅薄膜,即有源层薄膜,而后采用磁控溅射的方法沉积数据线材料薄膜;步骤805、对有源层薄膜和数据线材料薄膜进行构图工艺,形成包括有源层、源电极、漏电极和数据线的图案,具体可以采用双色调掩膜板对有源层薄膜和数据线材料薄膜进行一次掩膜曝光,二次刻蚀的工艺来形成所需的图案,该有源层、源电极、漏电极和上述栅电极作为驱动开关;步骤806、在形成有源层、源电极、漏电极和数据线的第一衬底基板上形成钝化层,钝化层可以采用化学汽相沉积法制备,厚度通常为ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="154"/>到ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="175"/>其材料可以为氮化硅或二氧化硅,此时栅极扫描线上面覆盖栅极绝缘层和钝化层,而数据线、源电极和漏电极上覆盖有钝化层;步骤807、通过钝化层掩膜板对钝化层进行构图工艺,形成第一像素电极过孔的图案,该第一像素电极过孔分别对应各漏电极的位置,第一像素电极过孔用于连接漏电极和像素电极;步骤808、在钝化层上沉积公共电极薄膜,公共电极薄膜可以采用磁控溅射方法沉积,厚度可以在ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="126"/>至ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="155"/>之间,材料可以为ITO或IZO;步骤809、对公共电极薄膜采用构图工艺,形成包括公共电极的图案,公共电极的图案与第一像素电极过孔间隔设置,优选的是公共电极的图案为形成在各个像素单元中的、彼此间隔的块状公共电极的图案。或者,公共电极可以为包括第二像素电极过孔的图案,第一像素电极过孔落入第二像素电极过孔的范围内。或者,还可以根据具体情况设计公共电极与公共电极线的制备流程。具体应用中,并不限于采用本实施例的步骤804和805来形成有源层、数据线、源电极和漏电极的图案。还可以通过两次沉积、两次构图工艺分别形成上述图案,即:首先沉积有源层薄膜,对非晶硅的有源层薄膜采用构图工艺,进行干法刻蚀,形成硅孤岛,栅金属材料与非晶硅之间的栅极绝缘层起到阻挡刻蚀栅金属的作用。而后可以沉积数据线材料薄膜,例如仍采用磁控溅射的方法沉积厚度在ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="155"/>到ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="155"/>的金属薄膜,采用单色调掩膜板对数据线材料薄膜进行构图工艺,形成数据线、源电极和漏电极的图案,源电极和漏电极的端部形成在有源层之上,且相对设置。在第一显示基板上还可以包括制备公共电极线的流程,公共电极线可以与公共电极同层形成且相互连接,优选的是公共电极线采用金属材料制成,则可以利用栅金属材料或数据线材料制成,具体的:在形成栅极扫描线和栅电极图案的同时形成公共电极线的图案,公共电极线与栅极扫描线相互间隔设置;并且,在形成第一像素电极过孔的同时形成公共电极过孔,公共电极过孔对应公共电极线的位置设置,则公共电极通过公共电极过孔与公共电极线相连。采用本实施例的技术方案可以制备本发明液晶面板中的第一显示基板,该第一显示基板中提供了柱状隔垫物插入的第一像素电极过孔,即可以保持像素电极与漏电极电气连接,并且,漏电极的位置相对于TFT沟道的位置较低,还有第一像素电极过孔对柱状隔垫物所起到的限位作用,使得柱状隔垫物的位置更加稳定,在液晶面板受到挤压时不易发生位移。另外,本实施例的技术方案中,公共电极和公共电极线均形成在第一显示基板上,可以在第一显示基板各像素单元内实现多点连接,不必采用导电银胶或金属颗粒等周边连接电路,省略了周边连接电路的制备工序,也避免产生短路等不良问题。公共电极和公共电极线的多点电连接,使公共电极中的电压均匀性更强,能够优化LCD的显示效果。为了使第一显示基板和第二显示基板在对盒时不影响柱状隔垫物插入第一像素电极过孔中与漏电极连接,在第一显示基板上涂覆PI(聚酰亚胺)胶制作取向膜时,可以有选择性的涂覆,使取向膜的图案与第一像素电极过孔相互间隔,露出第一像素电极过孔下的漏电极。在进行PI胶涂布工艺时,可以预先在PI转印板上留出空白区域,其位置与第一像素电极过孔的位置一致。在PI胶涂布工艺结束后,第一像素电极过孔的位置没有PI胶。本发明实施例还提供了另一种液晶显示基板的制造方法,包括如下步骤:在第二衬底基板上形成柱状隔垫物;在形成柱状隔垫物的第二衬底基板上沉积像素电极材料薄膜;对像素电极材料薄膜进行构图工艺,形成包括像素电极的图案,且在柱状隔垫物的表面保留像素电极材料薄膜,柱状隔垫物在两个液晶显示基板对盒时用于连接像素电极和设置在另一液晶显示基板上的驱动开关中的漏电极。本发明所提供的另一种液晶显示基板的制造方法可用于制造本发明液晶面板中的第二显示基板,使公共电极与公共电极线共同形成在同一液晶显示基板上,像素电极形成在另一液晶显示基板上,则既能够形成驱动液晶扭转的电场,又无须在周边用导电胶等连接公共电极和公共电极线,增强了连接可靠性。像素电极在第二显示基板上的设置方式有多种,下面通过优选实施例进行说明。实施例五图9为本发明实施例五提供的另一种液晶显示基板的制造方法,该制造方法即制造彩膜基板的方法,包括下述步骤:步骤901、在第二衬底基板上形成黑矩阵和彩膜树脂;黑矩阵和不同颜色的彩膜树脂可以分别形成,首先使用化学汽相沉积法形成厚度在1μm至5μm的黑矩阵层,黑矩阵的材料通常可以为铬或氧化铬组合构成的单层结构,也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构,而后用掩膜板通过构图工艺形成包括黑矩阵的图案;然后,可以利用涂覆分散法在第二衬底基板上涂覆1μm至5μm的红色像素树脂层,像素树脂层的材料通常是丙稀酸类感光性树脂或其他羧酸型色素颜料树脂,然后通过构图工艺形成红色的彩膜树脂,利用类似工艺分别形成绿色和蓝色的彩膜树脂。或者,黑矩阵和彩膜树脂也可以形成在液晶面板中的其他位置。步骤902、在彩膜树脂上形成柱状隔垫物,具体可以沉积一层柱状隔垫物膜层,而后使用掩膜板进行构图工艺形成包括柱状隔垫物的图案,优选的是在进行构图工艺时通过控制工艺参数使柱状隔垫物形成为圆台或棱柱台,底端宽度为1~80μm,顶端宽度为1~40μm;步骤903、在形成黑矩阵、彩膜树脂和柱状隔垫物的第二衬底基板上沉积像素电极材料薄膜,可以利用磁控溅射方法沉积ITO或IZO,厚度在ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="156"/>至ntent="drawing" img-format="tif" inline="yes" orientation="portrait" wi="156"/>之间;步骤904、对像素电极材料薄膜进行构图工艺,形成包括像素电极的图案,且在柱状隔垫物的表面保留像素电极材料薄膜,柱状隔垫物在两个液晶显示基板对盒时用于连接像素电极和设置在另一液晶显示基板上的驱动开关,具体是柱状隔垫物插入第一显示基板上的第一像素电极过孔中与漏电极连接。为了使第一显示基板和第二显示基板在对盒时不影响柱状隔垫物插入第一像素电极过孔中与漏电极连接,在第二显示基板上涂覆PI胶制作取向膜时,可以有选择性的涂覆,使取向膜的图案与柱状隔垫物相互间隔,露出覆盖有像素电极材料的柱状隔垫物。在进行PI胶涂布工艺时,可以预先在PI转印板上留出空白区域,其位置与柱状隔垫物的位置一致。在PI胶涂布工艺结束后,柱状隔垫物的位置没有PI胶。采用本实施例的技术方案可以制备本发明液晶面板中的第二显示基板,该第二显示基板上形成有柱状隔垫物,可以保持分设于两液晶显示基板的像素电极与漏电极的电气连接。漏电极的位置相对于TFT沟道的位置较低,还有第一像素电极过孔对柱状隔垫物所起到的限位作用,使得柱状隔垫物的位置更加稳定,在液晶面板受到挤压时不易发生位移。本发明实施例提供的液晶面板并不限于上述制造方法来制备,或者也可以通过选择不同的材料或材料组合来实现本发明。最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。